第10回分
マスクROM
nMOSのVthによって0と1を記憶する方法では誤りが発生しないのか？これを作るメリットは何か？
Vthは、MOSトランジスタの製造時のイオン注入量によって制御できますので、
誤りの心配はあまりないでしょうね。
メリットは、記憶情報に応じてマスクを変えないといけないという意味では、
他の方法と同じようなものでしょうね。
選択肢の一つ、というところでしょうか。
nMOSを作りきらないのは、"集積度を上げる"ということの妨げにならないか？
回路の規則性を保つほうが、高集積化には得策でしょう。
NAND型のマスクROMで、Vth<0とするという話があったが、はじめからショートさせればよいのではないかと思った。
まあそういうことなのですが、
上述のように回路の規則性を保つほうが得策でしょう。
PROM
ヒューズ型はあらかじめ焼ききりやすい設計してあるのか？焼ききるとなぜ大電流が流れるのか？
ヒューズのところは、焼ききりやすいように、金属(アルミ)配線を細くしておきます。
焼ききった後は、電流が流れなくなります
ヒューズを並列に用いて再度書き込むを行うことは技術的に無理か？
並列だと、焼ききった、という情報を読み出せないでしょうね。
ただし、焼ききっていないところを、あとで焼ききる、という
再書き込みだけはできそうです。
PROMは、使いやすさ、価格、ロットが平均的なので、一番使用されているのか？
用途しだい、でしょうね。
書き換えができない、というのは、決定的なデメリットといえ、
書き換えをしなくても、汎用品(=低価格)用であり
書き換えができるFlashメモリが用いられることが多いようです。
EPROM
UV-EPROMは紫外線を当てるので使いやすくないような気がするのですが。
その通りですが、当時は、「書き換え」ができる唯一のROMでした。
UV-EPROMで紫外線を照射する装置はどれくらいの大きさか？
小型のものであれば手のひらサイズでありましたよ。
EEPROMはいつごろ出来たのか？
1993年ごろには、秋葉原で入手できたように記憶しています。
クソゲーのシステム自体がUV-EPROMなのか、それともセーブデータがUV-EPROMなのか？
システム本体(プログラム)、ですね。
セーブデータは、バッテリでバックアップするSRAMが用いられることが
多かったようです。
Flashメモリ
「消去はまとめてしかできない」ということを意識せずに使えるのはソフト的な処理のためか？RAMの代わりに使うものもあるようだがこれも同じか？
前者は、そういうことです。
後者は、書き換えするほど劣化するため、書き換え回数の制限があり、
例えばメインメモリのようにあまり頻繁に書き換える用途には使えないですね。
大容量のFlashメモリでも、年々、低価格になっている気がするがなぜ？
まさにスケーリングによる機能単価の低減、ですね。
あとは価格競争でしょうか。
メモリに寿命があるのはトランジスタが使えなくなるからですか？
いえ、FGにたまった電荷がにげて記憶している情報が消える、ということで、
再度書き込みはできます。
クソゲーの反対語って何でしょうかね？
さて・・・
クソゲーのデータは少しショックを与えると消えますが、当時は仕方なかったのか？今は衝撃に強くなったのか？
さて、どうなんでしょう・・・
データが消えるのは、上述のようにSRAMのバックアップのバッテリが
はずれたんじゃないですかね。
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