elec15 の履歴(No.25)

「はじめての電子回路15講」(秋田純一著・講談社サイエンティフィック）のサポートページです。

※このページに関するご連絡は akita[at]ifdl.jp までお願いします。

正誤表†

誤字・脱字†

掲載日	ページ番号	誤	正	備考
2017/03/31	p.13	図1.12(b)のように・・・	図1.12の上のグラフのように・・・
2017/6/22	p.48(演習4.6)	信号現	信号源
2017/7/31	p.131(演習12.6)	RC4558と・・・	RC4558の・・・
2017/8/1	p.12(12行目)	(すべても・・・	(すべてと・・・
2017/8/1	p.86(19行目)	カレンとミラー	カレントミラー
2017/8/2	p.67(下から5行目)	ウオーリー	ウォーリー
2018/2/5	p.95(図9.8中のトランジスタの記号)	QL	QC
2018/9/22	p.116(図11.10)		(赤線は(Vi-0.6)の正の部分)	Vi>0.6のみの正弦波の一部となる。添付(このページの一番下)の"fig11_10.png"を参照。
2018/9/22	p.133(11行目)	μS	μs
2018/9/22	p.145(図13.9)	(R2とC2の接続点に黒丸がない)	(R2とC2の接続点に黒丸を追記)
2020/1/28	p.170(図ans11-2)	(左半分と右半分が逆)	(p.112の図11.4のあとに図11.3をつないだ回路)
2021/6/1	p.136(H(ω)の最初の式)	(分子分母の)jωC	1/jωC
2021/6/1	p.145(H(ω)の式)	a1=ωC・C1(R1+R2)	a1=ωC・C2(R1+R2)
2021/6/1	p.155(図14.2)	(C1とC2が逆)	(C1とC2を入れ替えた回路)
2024/9/27	p.33(図3.4)	図中の"gn vbe"	"gm vbe"
2024/9/27	p.34(ICの式)	IC≒IS{exp(VBE/VT)-1}≒IS exp(VBE/VT)	IC≒βIS{exp(VBE/nVT)-1}≒βIS exp(VBE/nVT)
2024/9/27	p.34(VBEの式)	VBE=VT ln(IC/Is)	VBE=nVT ln(IC/βIS)

↑

式、値や内容の訂正・補足†

掲載日	ページ番号	誤	正	備考
2016/10/24	p.8(演習1.1)	V2=13V	V2=-13V	V2=13Vで計算すると、R1,R2,R3の電流はそれぞれ31/21A(左向き),12/7A(左向き),67/21A(右向き)になります。
2016/10/25	p.26(下から8行目)	β=α(1-α)とおけば・・・	β=α/(1-α)とおけば・・・
2016/10/30	p.21(19-22行目)	（空間電荷の生成メカニズムの説明）	（電子と正孔が再結合すると電気的に中性となります。その結果、電子や正孔を生んで電荷をもつ不純物原子（移動できない）が残ることになり、これが空間電荷となります。	説明内容の補足訂正
2016/10/31	p.97,98	86.5[mV/℃]	86.5[μV/℃]	k/qの値
2016/12/30	p.145(図13.8中の｜H｜のQ)	Q=0.2	Q=2.0
2016/12/30	p.154(図14.10中のオペアンプの入力)			オペアンプの入力の＋と－が逆
2016/12/30	p.155(図14.11中のオペアンプの入力)			オペアンプの入力の＋と－が逆
2017/01/04	p.12(演習1.2)	V2=13V	V2=-13V	演習1.1と同じ修正
2017/01/04	p.168(演習1.2解答)	...なので、E0=V1	...なので、E0=(R3V1+R1V3)/(R1+R3)
2017/01/04	p.166(図15.11キャプション)	※ボーデ線図	（削除）
2017/03/31	p.13	図1.12(a)は・・・	(対応する図なし)	原点を通る正弦波の図を考えて理解してください
2017/04/21	p.106の5-10行目	（(5')とそれに関連する記述）「上がる」「上昇」「上限」	それぞれ「下がる」「下降」「下限」	(2')-(5')の結果、Voは負の限界に振り切れて収束します。
2017/4/27	p.113(図11.5)	(R3とR4の中間とオペアンプの＋入力)	(両者がつながっているのが正しい)
2017/5/25	p.27(演習2.2)	α=0.01, 0.001	α=0.99, 0.999
2017/5/25	p.163(図15.5)	(arg(A)の縦軸)90°, 180°	-90°, -180°
2017/5/26	p.40(演習4.1)	VA=130V	VA=150V
2017/5/26	p.168(演習4.2の解答)	...=β=200...Zo=ro=...	...β=100...Zo=RL=...
2017/5/26	p.44(下から2行目)	vo=gm vbe RL	vo=-gm vbe RL
2017/6/10	p.102(図10.2右側)	Δ→∞とすると	A→∞とすると
2017/7/31	p.54(図5.7)	VE2	VB2
2017/7/31	p.66(図6.14)	(右上の)I1	I2
2017/7/31	p.129	演習12.5(ページ中央)	演習12.6	以降、演習12.8まで演習番号がずれます
2017/7/31	p.171	(演習12.4以降の解答例)	(略)	データシートを読み取る演習の解答例は省略。それ以外の以下の3問の解答例は以下の通り。
2017/7/31	p.171	(p.128の演習12.5の解答例)	(Ri+Rf)・VIO/Ri
2017/7/31	p.171	(p.130の演習12.5の解答例)	RC4558は、300,000(Typ)=110[dB]。TL072は略。
2017/7/31	p.171	(p.131の演習12.6の解答例)	f1=AVD/B1=10[Hz]
2017/7/31	p.171	(p.133の演習12.7の解答例)	27[kHz]	出力電圧の振幅A=10V、SR=1.7[V/μs]=1.7×10^6[V/s]なので、f<SR/2πAより
2017/8/3	p.11	（テブナンの定理の証明）		この証明がわかりにくい場合は、別の証明（例えばhttps://physnotes.jp/em/ecir_thev/）が参考になるかもしれない
2022/12/16	p.117（理想ダイオードの説明）	L15-L20の文章	入力Viが正のときは，オペアンプの出力は負となるはずなので，ダイオードD1は右側の方が電位が低いために順方向になるため，電流が流れます。その一方，ダイオードD2は逆方向で電流が流れませんので，VoはRfのみが接続されていると考えることができますが入力からの電流はすべてD1に流れるため、Rfには電流が流れず、Voは仮想ショートの－入力と同じ電圧、つまり0になります。
2024/9/27	p.10	（テブナンの定理の適用範囲）		線形素子が対象なのでリアクタンス（キャパシタ・インダクタのインピーダンス）も適用されます
2024/9/27	p.28	（IC=0のときのVCEの定義）		文字通りの意味であればVCE=0となりますが、「VCE>0のところを直線で外挿した切片」が正しい定義です
2024/9/27	p.33	図3.4		「丸の中に矢印」は電流源の回路図記号