* MOSモデルについて [#w44fa249]

MOSモデルはデータシートのようなもので、MOSの物理特性について記載されています。今回のプロセスの場合だと、1種類のMOSに対して、S(Slow)、T(Typical)、F(Fast)の3個のMOSモデルが存在しています。通常、回路にはN型とP型の2種類のMOSがあるので、全部で6個のMOSモデルが存在します。このSlowやFastはしきい値電圧(Vth)の高低のことを指しています。しきい値電圧が低ければMOSがONになるタイミングが早いですし、高ければ遅くなります。

ロジックが多かったり、タイミングがシビアだったりする回路を設計するときは、さまざまなMOSがモデルでシミュレーションした方がいいですが、数ゲートくらいの簡単な回路なら、Typicalでシミュレーションするだけで十分だと思います。

* シミュレーション方法 [#pa7ed580]
Typical以外のMOSモデルを使用したい場合は、MLで配布されている「mos_20100316.l」を使用して、以下のように記述します。

 .lib 'mos_20100316.l' mos_ff

このライブラリで使用できるMOSモデルの組み合わせは、ff、tt、ss、sf、fsの5つです。これらのしきい値電圧をグラフにすると、四角形が描けることから、コーナーモデルと呼ばれることもあります。(図1参照)。これ以外の組み合わせを使いたい場合は、自分でライブラリを編集する必要があります。

#ref(corner-model.png,20%)
#ref(./corner-model.png,40%)
図1. コーナーモデル
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