第13回

メモリ関連

現役のゲーム機でも，よく売れるゲームにはマスクROMが使用されていますか．

最近のは、バラしたことがないのですが、フラッシュメモリが安価になってきたこともあり、フラッシュメモリを使っているものが多いんじゃないでしょうか。(推測)

ROMがないゲームとはとは具体的にどんなゲームなのですか．

それはないでしょう。

Vtとが低いとき，高いときのような書き方をいていた変化する値は閾値となるのですか．

そうです。しきい値を、MOSFETをつくるときに変える、という意味です。

マスクの初期コスト･･･高，量産コスト･･･低，となる理由がわかりません．

集積回路とは、そういうものです。マスクは、1つの集積回路をつくる一式で数億円かかります。製造装置も高価ですが、作る集積回路自体の原材料費はシリコンとかアルミニウムとかですから、誤差みたいなものです。

マスクROMのメモリセルの構成，色々な方法があるみたいですが，今でも統一はされていないのですか．

それぞれ一長一短があるので、使い分けている、といのが現実のようです。

消去がブロック単位，速度が遅いというのに，最近よくフラッシュメモリとか聞きますがなぜでしょう．

電気的に消去ができ、かつ、記憶容量を(実はDRAMなどよりも)増やしやすい、という特長がポイントのようです。

フラッシュメモリ内で，Vcc,GNDの確保はどうなっていますか．

外部から与えられる、ということではないでしょうか。

外部メモリとなると外からわざわざCLOCKをとっているのですか．

？そういうことでしょうね。

マスクROMよりもCDやDVDの方が生産効率がよいので，ゲームはCDやDVDに取って代わったということなのでしょうか．

価格と速度(CDやDVDは半導体メモリよりは桁違いに遅い)の兼ね合い、というところでしょうか。

製品に載せられているメモリ容量が時代と共にどんどん大きくなっていきますが，リフレッシュ等に使う電力は無視できないようになってくるのですか．

実はメモリの消費電力というのは、かなり大きく、メモリの低消費電力化は深刻な問題となりつつあるようです。

不揮発性メモリでもwrite可のものと，揮発性メモリの違いは何ですか．

なかなかよい質問です。基本的には、「あまり頻繁に書き込みを使わず、ほとんどは読み出しに使う」メモリを、(書き換え可能な)不揮発性メモリ、と呼ぶことが多いようです。

現在のUSBメモリなどもEEPROMが使われているのですか．

EEPROMの一種である、フラッシュメモリ、ですね。

集積度が上げられる(a)(b)の方が(c)より消費電力や動作速度の面で有利なのでしょうか．(a)と(b)の長所と短所の差は無いのですか．

消費電力や動作速度の面では、ほとんど差はないと思われます。 (a)と(b)の差も、ほとんどないと思われます。

講義初めの方で，"後から作る→TATが短くなる"の理由をもう少し詳しく教えてください．

(c)はコンタクトの有無でデータを作りこむわけですが、そのコンタクトの前に作る必要がある、MOSトランジスタなどは、事前に汎用品として作っておくことが可能です。しかもこのMOSトランジスタの製造工程はかなり時間がかかるので、記憶させるデータが確定してから、MOSトランジスタから作り始めないといけない(a)(b)より、事前にMOSトランジスタは作ってあって、コンタクトのところから作り始められる(c)のほうがTATが短い、ということになります。

CL< いえ、そういうことはなりません。
NAND型マスクROMのデータの読み出しはどうするのですか．

NAND型マスクROMがブロック選択をどうするのかよく分からなかったです．

プリントの真ん中のところがよくわかりませんでした．
時間の関係で詳しくは触れませんでしたが、読み出し対象の行以外のMOSトランジスタをONにし、読み出し対象の行のMOSトランジスタのON/OFFに応じて、 Djの電圧が決まります。講義資料を参考にしてください。
マスクROMの(c)型のTATはどれくらいですか．
早いものだと1週間程度、のものがあるようです。
なぜ紫外線を当てるとFGから電子が出てくるのか分からなかった．
FGにたまっている電子が、紫外線によってエネルギーを得て、それが運動エネルギーとなり、FGから飛び出す、という理解でよいかと思います。
EPROMの浮遊ゲートの大きさはどれくらいですか．EPROMは集積度が高いのですか．
EPROMの集積度は、マスクROMと同程度にできます。浮遊ゲートの大きさは、MOSトランジスタのゲートと同程度ですね。
EPROMでVf=Vc+(Qf/Cv)なのにQfがたまっているとVfがVcより小さくなるのはなぜですか．

ERROMのVfで，FGに電子がたまっていると，Vcより小さいなどはどういうことかわかりませんでした．
FGにたまるのは電子で、その電荷が負なので、Qf<0、だからです。
コンタクトは結局どうゆうものなのかわかりませでした．

トランジスタが3っつ並んでいるとき，真ん中の読み出しはどうするのですか．真ん中が1なら下のTrも強制的に1になるのではないですか．

その他

紫外線はどうやって発生するのですか．
蛍光灯、でしょうか。
トンネル効果とは何でしょうか．
エネルギー障壁があっても、ある確率で電子などが通り抜けること、です。
チャネルとは何でしょうか．
MOSトランジスタのゲートの真下、ソース(S)とドレイン(D)の間の部分です。
昔は，クソゲー(と想定してたゲーム)が思った以上に売れても，コストの関係上大した儲けにならなかったのですか．
まあそういうことでしょうね。
MOSを作るのに1ヶ月くらいかかるのはなぜですか．
回路パターンをつくりこむ露光の工程に、けっこう時間がかかるようです。
クソゲーというのは，定義は色々あると思いますが広く一般にやっているので例は違うと思いました．
まあ、一例ということで・・・