第6回分
どういった要因でオペアンプの特性が最小、標準、最大と動くのか？
前回お話したように、オペアンプを構成する
トランジスタ等の素子の特性の製造時のバラツキ、が主な要因です。
SRはどのようにして求めるのか？
前回お話したように、
オペアンプの最終段の増幅器の駆動能力(電流をどれぐらい流せるか)で
決まります。
もし2πfAVA>SRの場合はどうなるか？
波形が、思ったものと違う、つまりひずみが生じることになります。
SRの話でf、A、VAが大きいときには要注意と書かれていたが、何に注意するのか？
波形がひずみやすいので、そうならないように気をつけましょう、という
意味です。
SRで、例題のようにVA≦5と決まったが、それが具体的にどういうことを表しているのか？
その範囲の入力であれば、波形がひずまない、という意味です。
2πf＝ω[rad/s]なのに2πfAVAとSRの次元が合うのはradをただの定数とみなしてのことなのか？
[rad]は角度の単位ですので、次元はありません。
SRの例は交流であったが、直流の場合はSRは関係ないということか？
そうですね、直流は「変化」しませんから、SRは関係ありませんね。
SRのところでVoの変化が最大になるときはVo=0となってたが、どうやってその点にしたのかがわからない。
変化率、つまり微分係数が最大になるところ、で求めました。
1/A×(1×R2/R1)≒10-5がなぜ0.001%なのか？
10-2=1%ですから、0.001%=10-5ですね。
入力バイアス電流と入力オフセット電圧は、電流を電圧とみなしただけのように見えるが、何か違いはあるのか？
まあそういうことです。
ただし発生する原因は違います。
入力バイアス電流が流れる場合、オペアンプはどのような役割を果たしているのか？(インピーダンス的なものは存在するか？)
入力バイアス電流は入力信号とは無関係に生じるものですので、
オペアンプ自体が発生させているもの、と考えるとよいでしょう。
Vo=−(R2/R1)Vi−R2(Ib＋−Ib−)ではなくて、Vo=−(R2/R1)Vi＋R2(Ib＋＋Ib−)ではないか？
ほんとですね。失礼しました。
なぜIb＋−Ib−=±IIOとすれば、Ib＋、Ib−の影響が小さくなるのか？
一般にIIO＜＜Ib+, Ib-だから、です。
VIOの影響での、(R1+R2)/R1が大きいほど、VIOの影響が大きくなるというのがよくわからない。また、反転増幅器以外の他の増幅器でも同じような影響がみられるのか？
求めた出力の式の、理想の場合(VIO=0)との違いが、誤差であるわけですが、
それが、(R1+R2)/R1に比例しているから、です。
非反転増幅器以外の場合は、別途考えるとよいでしょうね。
VIOの影響の計算で、V'をVoのR1、R2による分圧によって導出していたが、オペアンプに電流が流れない理想的な状況でのみその導出が可能なのでは？
その通りです。
あの例ではVIOの影響「のみ」を考え、入力バイアス電流=0と仮定していました。
ちょっと黒板が早い。。。あとほんの少しでいいのでおそくしてもらえると助かる。
すいません、気をつけます。
前回も思ったが、項目だけを紹介して詳細を後回しにする方法はノートの構成上結構困る。たくさんの項目があるのならば詳細を後回しにしないで、項目に優先順位をつけてやってほしかった。
詳細は演習でやるべき、という場合と、
詳細をやるには時間が足りないので、残り時間は時間内に
終われるものを、という場合に、順序を入れ替えていますが、
たしかにノートの整理がつきにくいですね。
後者の場合は、詳細を途中まで、とするようにしたいと思います。
前者の場合は、前述のような意図でやっていますので、
ご理解ください。
あるいは、2回で1テーマを、座学と演習をまぜて、分けずに
やったほうがいいですかね・・・
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